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김광수
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발표논문
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발표논문
연구자정보
저자
김광수
발표논문( 4)
공동연구자( 13)
Kim, Kwang-Soo
4건
Bae, Dong-woo
1건
Goh, Jin-Young
1건
Jeong, Chung-Bu
1건
Kim, Tae-Hong
1건
Lee, Jeongyeon
1건
Song, Gwan-Hoon
1건
고진영
1건
김태홍
1건
배동우
1건
송관훈
1건
이정연
1건
정충부
1건
유사연구자 ( 20)
※활용도순 상위 20명
Choi, Chel-Jong
1건
Jeong, Myung-Il
1건
Koo, Sang-Mo
5건
Koo, Sang-Mo
4건
Lee, JaeGil
1건
Oh, Jong-Min
1건
구상모
4건
구상모
5건
김관도(Kwan-Do Kim)
1건
김광호(Kwang-Ho Kim)
1건
서승우
1건
신백균(Paik-Kyun Shin)
1건
양현아 ( Hyunah Yang )
1건
오종민
1건
유청일
1건
이승민
1건
이재길
1건
이태섭
2건
정명일
1건
최철종
1건
연구자관계도
김광수
'김광수'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수
주제별 연구자 총논문수
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균)
4,840
19
25.9%
자세히
연구자 점유율
주제
주제별 논문수
주제별 연구자논문수
주제별 연구자점유율
주제분류(KDC/DDC)
응용 물리
4,649
3
0.1%
주제어
n-passivation
1
1
100.0%
VDMOSFET
2
1
50.0%
reach-through
2
1
50.0%
Temperature variation effect
3
1
33.3%
electric field crowding
3
1
33.3%
moscap
3
1
33.3%
transconductance
5
1
20.0%
threshold voltage shift
6
1
16.7%
breakdown voltage
24
2
8.3%
interfacetrapdensity
13
1
7.7%
on resistance
15
1
6.7%
4h-sic
54
3
5.6%
pecvd
60
1
1.7%
계
4,840
19
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수
0
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'김광수'
의 발표논문(4)
PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-based 4H-SiC MOS Capacitor의 SiC/SiO2 계면 특성
Kim, Kwang-Soo
송관훈
김광수
Song, Gwan-Hoon
한국전기전자학회
[2014]
낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)
Bae, Dong-woo
배동우
김광수
Kim, Kwang-Soo
한국전기전자학회
[2017]
3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET
Goh, Jin-Young
정충부
김태홍
김광수
고진영
Kim, Tae-Hong
Kim, Kwang-Soo
Jeong, Chung-Bu
한국전기전자학회
[2018]
SiC UMOSFET 구조에 따른 온도 신뢰성 분석
Kim, Kwang-Soo
이정연
김광수
Lee, Jeongyeon
한국전기전자학회
[2020]