3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET
'
3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET' 의 주제별 논문영향력
| 주제 |
|
|
|---|---|---|
| 동일주제 총논문수 | 논문피인용 총횟수 | 주제별 논문영향력의 평균 |
| 4,734 | 0 |
0.0% |
