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Kim, Kwang-Soo

연구자정보

- 저자 Kim, Kwang-Soo
- 발표논문( 4)
공동연구자( 13)
- 김광수 4건
- Bae, Dong-woo 1건
- Goh, Jin-Young 1건
- Jeong, Chung-Bu 1건
- Kim, Tae-Hong 1건
- Lee, Jeongyeon 1건
- Song, Gwan-Hoon 1건
- 고진영 1건
- 김태홍 1건
- 배동우 1건
- 송관훈 1건
- 이정연 1건
- 정충부 1건
유사연구자 ( 20)※활용도순 상위 20명

연구자관계도

'Kim, Kwang-Soo'의 연구자 점유율

논문점유율 요약
동일주제 총논문수	주제별 연구자 총논문수	연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균)
4,840	19	25.9%

연구자 점유율
주제		주제별 논문수	주제별 연구자논문수	주제별 연구자점유율
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	3	0.1%
주제어	n-passivation	1	1	100.0%
	VDMOSFET	2	1	50.0%
	reach-through	2	1	50.0%
	Temperature variation effect	3	1	33.3%
	electric field crowding	3	1	33.3%
	moscap	3	1	33.3%
	transconductance	5	1	20.0%
	threshold voltage shift	6	1	16.7%
	breakdown voltage	24	2	8.3%
	interfacetrapdensity	13	1	7.7%
	on resistance	15	1	6.7%
	4h-sic	54	3	5.6%
	pecvd	60	1	1.7%
계		4,840	19
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수			0

'Kim, Kwang-Soo'의 발표논문(4)

PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-based 4H-SiC MOS Capacitor의 SiC/SiO2 계면 특성
Kim, Kwang-Soo 송관훈 김광수 Song, Gwan-Hoon 한국전기전자학회 [2014]
낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)
Bae, Dong-woo 배동우 김광수 Kim, Kwang-Soo 한국전기전자학회 [2017]
3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET
Goh, Jin-Young 정충부 김태홍 김광수 고진영 Kim, Tae-Hong Kim, Kwang-Soo Jeong, Chung-Bu 한국전기전자학회 [2018]
SiC UMOSFET 구조에 따른 온도 신뢰성 분석
Kim, Kwang-Soo 이정연 김광수 Lee, Jeongyeon 한국전기전자학회 [2020]