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PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-based 4H-SiC MOS Capacitor의 SiC/SiO2 계면 특성

송관훈 김광수 Song, Gwan-Hoon Kim, Kwang-Soo 2014년

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논문상세정보

- 저자 송관훈 김광수 Song, Gwan-Hoon Kim, Kwang-Soo
- 제어번호 101124105
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 18 No. 4 [ 2014 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 447-455
- 언어 Korean
- 출판년도 2014
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 4H-SiC interfacetrapdensity MOSCAP N-passivation PECVD
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 126)

인용/피인용

PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-ba ...

' PECVD와 NO 어닐링 공정을 이용하여 제작한 N-based 4H-SiC MOS Capacitor의 SiC/SiO2 계면 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	4h-sic interfacetrapdensity moscap n-passivation pecvd
131	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	4h-sic	54	0	0.0%
	interfacetrapdensity	13	0	0.0%
	moscap	3	0	0.0%
	n-passivation	1	0	0.0%
	pecvd	60	0	0.0%
계		131	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0