4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화
'김홍기(Hong-Ki Kim)'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수 |
주제별 연구자 총논문수 |
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균) |
321 |
15 |
|
연구자 점유율
주제 |
주제별 논문수 |
주제별 연구자논문수 |
주제별 연구자점유율 |
주제어 |
Ar Reshape
|
2
|
1
|
|
Post Annealing
|
2
|
1
|
|
Sub-trench
|
2
|
1
|
|
activation annealing
|
2
|
1
|
|
gateoxide
|
7
|
2
|
|
Aerosol Deposition
|
4
|
1
|
|
Trench MOSFET
|
6
|
1
|
|
rgo
|
14
|
1
|
|
ion implantation
|
17
|
1
|
|
4h-sic
|
54
|
3
|
|
al₂o₃
|
20
|
1
|
|
Surface roughness
|
191
|
1
|
|
계 |
|
321 |
15 |
|
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수 |
|
0 |
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'김홍기(Hong-Ki Kim)'의 발표논문(3)