' 4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 4h-sic
  • Ar Reshape
  • Sub-trench
  • Trench MOSFET
  • gateoxide
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
71 0

0.0%