에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al₂O₃ 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성

논문상세정보
' 에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al₂O₃ 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 4h-sic
  • Aerosol Deposition
  • Post Annealing
  • al₂o₃
  • gateoxide
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
87 0

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