에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al₂O₃ 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성
'이남석(Nam-suk Lee)'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수 |
주제별 연구자 총논문수 |
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균) |
321 |
15 |
|
연구자 점유율
주제 |
주제별 논문수 |
주제별 연구자논문수 |
주제별 연구자점유율 |
주제어 |
Ar Reshape
|
2
|
1
|
|
Post Annealing
|
2
|
1
|
|
Sub-trench
|
2
|
1
|
|
activation annealing
|
2
|
1
|
|
gateoxide
|
7
|
2
|
|
Aerosol Deposition
|
4
|
1
|
|
Trench MOSFET
|
6
|
1
|
|
rgo
|
14
|
1
|
|
ion implantation
|
17
|
1
|
|
4h-sic
|
54
|
3
|
|
al₂o₃
|
20
|
1
|
|
Surface roughness
|
191
|
1
|
|
계 |
|
321 |
15 |
|
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수 |
|
0 |
|
'이남석(Nam-suk Lee)'의 발표논문(3)