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김광수(Kwang-Soo Kim)
연구자 Analysis
발표논문
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발표논문
연구자정보
저자
김광수(Kwang-Soo Kim)
발표논문( 3)
공동연구자( 5)
고진영(Jin-Young Goh)
1건
김태홍(Tae-Hong Kim)
1건
배동우(Dong-woo Bae)
1건
이정연(Jeongyeon Lee)
1건
정충부(Chung-Bu Jeong)
1건
유사연구자 ( 20)
※활용도순 상위 20명
An, Jae-In
1건
Cha, Ho Young
2건
Cho, Myung-Yeon
1건
Cho, Seulki
1건
Kim, Sung Youp
1건
Koo, Sang-Mo
5건
Koo, Sang-Mo
4건
Oh, Jong-Min
1건
구상모
5건
구상모
4건
김성엽
1건
김성협
1건
박성준
1건
안재인
1건
오종민
1건
이상규
1건
이승민
1건
이재길
1건
이태섭
2건
조슬기
1건
연구자관계도
김광수(Kwang-Soo Kim)
'김광수(Kwang-Soo Kim)'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수
주제별 연구자 총논문수
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균)
117
16
43.7%
자세히
연구자 점유율
주제
주제별 논문수
주제별 연구자논문수
주제별 연구자점유율
주제어
Super Barrier Rectifier(S ...
1
1
100.0%
channel implant
1
1
100.0%
forward voltage drop
1
1
100.0%
VDMOSFET
2
1
50.0%
reach-through
2
1
50.0%
Temperature variation effect
3
1
33.3%
electric field crowding
3
1
33.3%
transconductance
5
1
20.0%
threshold voltage shift
6
1
16.7%
breakdown voltage
24
3
12.5%
on resistance
15
1
6.7%
4h-sic
54
3
5.6%
계
117
16
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수
0
닫기
'김광수(Kwang-Soo Kim)'
의 발표논문(3)
낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)
김광수(Kwang-Soo Kim)
배동우(Dong-woo Bae)
한국전기전자학회
[2017]
3.3㎸ 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET
고진영(Jin-Young Goh)
정충부(Chung-Bu Jeong)
김태홍(Tae-Hong Kim)
김광수(Kwang-Soo Kim)
한국전기전자학회
[2018]
SiC UMOSFET 구조에 따른 온도 신뢰성 분석
김광수(Kwang-Soo Kim)
이정연(Jeongyeon Lee)
한국전기전자학회
[2020]