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낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)

배동우(Dong-woo Bae) 김광수(Kwang-Soo Kim) 2017년

활용도
공유도
영향력

논문상세정보

- 저자 배동우(Dong-woo Bae) 김광수(Kwang-Soo Kim)
- 제어번호 103318461
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 21 No. 1 [ 2017 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 73-76 ( 4쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2017
- 등재정보 KCI등재
- 판매처 누리미디어
- 주제어 4H-SiC Super Barrier Rectifier(SBR) breakdown voltage channel implant forward voltage drop
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 76)
- 4h-sic 53건
- breakdown voltage 23건

인용/피인용

낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type ...

' 낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	4h-sic Super Barrier Rectifier(SBR) breakdown voltage channel implant forward voltage drop
81	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	4h-sic	54	0	0.0%
	Super Barrier Rectifier(S ...	1	0	0.0%
	breakdown voltage	24	0	0.0%
	channel implant	1	0	0.0%
	forward voltage drop	1	0	0.0%
계		81	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0