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SiC UMOSFET 구조에 따른 온도 신뢰성 분석

이정연(Jeongyeon Lee) 김광수(Kwang-Soo Kim) 2020년

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논문상세정보

- 저자 이정연(Jeongyeon Lee) 김광수(Kwang-Soo Kim)
- 제어번호 106805100
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 24 No. 1 [ 2020 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 284-292 ( 9쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2020
- 등재정보 KCI등재
- 판매처 누리미디어
- 주제어 4H-SiC Temperature variation effect breakdown voltage on resistance threshold voltage shift transconductance
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 101)

인용/피인용

SiC UMOSFET 구조에 따른 온도 신뢰성 분석

' SiC UMOSFET 구조에 따른 온도 신뢰성 분석' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	4h-sic Temperature variation effect breakdown voltage on resistance threshold voltage shift transconductance
107	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	4h-sic	54	0	0.0%
	Temperature variation effect	3	0	0.0%
	breakdown voltage	24	0	0.0%
	on resistance	15	0	0.0%
	threshold voltage shift	6	0	0.0%
	transconductance	5	0	0.0%
계		107	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0