에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al₂O₃ 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성
'구상모(Sang-Mo Koo)'의 연구자 점유율
논문점유율 요약
동일주제 총논문수 |
주제별 연구자 총논문수 |
연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균) |
1,170 |
11 |
|
연구자 점유율
주제 |
주제별 논문수 |
주제별 연구자논문수 |
주제별 연구자점유율 |
주제어 |
Blocking voltage
|
2
|
1
|
|
Post Annealing
|
2
|
1
|
|
Vertical DMOSFET
|
2
|
1
|
|
Ga₂O₃
|
3
|
1
|
|
Aerosol Deposition
|
4
|
1
|
|
gateoxide
|
7
|
1
|
|
al₂o₃
|
20
|
1
|
|
4h-sic
|
54
|
2
|
|
on-resistance
|
27
|
1
|
|
Simulation
|
1,049
|
1
|
|
계 |
|
1,170 |
11 |
|
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수 |
|
0 |
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'구상모(Sang-Mo Koo)'의 발표논문(2)