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3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET
Goh, Jin-Young
정충부
김태홍
김광수
고진영
Kim, Tae-Hong
Kim, Kwang-Soo
Jeong, Chung-Bu
한국전기전자학회[2018]
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