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N-polar면의 선택적 에칭 방법을 통한 Free-standing GaN 기판의 Bowing 제어
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Gim, Jinwon
황종희
전대우
임태영
이혜용
이영진
이미재
윤대호
손호기
김진호
김진원
Yoon, Dae-Ho
Son, Hoki
Lim, Tea-Young
Lee, YoungJin
Lee, Mijai
Lee, Hae-Yong
Kim, Jin-Ho
Jeon, Dae-Woo
Hwang, Jonghee
한국전기전자재료학회[2016]
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AlN/PSS Template 위에 HVPE로 성장한 GaN 막의 특성
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Hwang, Jonghee
황종희
전대우
이혜용
이영진
이미재
손호기
김진호
Son, Hoki
Lee, YoungJin
Lee, Mijai
Lee, Hae-Yong
Kim, Jin-Ho
Jeon, Dae-Woo
한국전기전자재료학회[2016]
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Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
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Hwang, Jonghee
황종희
전대우
이혜용
이영진
손호기
김진호
Son, Hoki
Lee, YoungJin
Lee, Hae-Yong
Kim, Jin-Ho
Jeon, Dae-Woo
한국전기전자재료학회[2016]
Google Scholar네이버 전문정보
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FS-GaN을 열산화하여 제작된 Beta-Ga2O3 박막의 특성
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Hwang, Jonghee
황종희
전대우
이혜용
이영진
이미재
손호기
김진호
Son, Hoki
Lee, YoungJin
Lee, Mijai
Lee, Hae-Yong
Kim, Jin-Ho
Jeon, Dae-Woo
한국전기전자재료학회[2017]
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HVPE 방법으로 성장된 alpha-Ga2O3의 특성에 대한 VI/III ratio 변화 효과
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Choi, Ye-Ji
황종희
최예지
전대우
임태영
이영진
이미재
손호기
라용호
김진호
김선욱
Son, Hoki
Ra, Yong-Ho
Lim, Tae-Young
Lee, Young Jin
Lee, Mi-Jai
Kim, Sun Woog
Kim, Jin Ho
Jeon, Dae-Woo
Hwang, Jonghee
한국결정성장학회[2018]
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HVPE 방법으로 성장한 Alpha-Ga2O3의 특성 분석
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Hwang, Jonghee
황종희
전대우
임태영
이영진
이미재
손호기
라용호
김진호
김선욱
Son, Hoki
Ra, Yong-Ho
Lim, Tae-Young
Lee, YoungJin
Lee, Mijai
Kim, Sun Woog
Kim, Jin-Ho
Jeon, Dae-Woo
한국전기전자재료학회[2018]
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