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Density-of-States and Stability Analysis of Solution-Processed InGaZnO TFTs with Consideration of Back Channel Surface Potential and Debye Length = 용액 공정 인듐갈륨징크 산화물 박막트랜지스터의 뒷 채널 전위 및 드바이 길이를 고려한 결함구조밀도와 신뢰성에 대한 연구
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임화림
서울대학교 대학원[2016]
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