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Atomic-Layer-Deposited Zinc Tin Oxide Thin Films as the Channel Material for Next-Generation 3D Memory Devices = 차세대 3D 메모리 소자의 채널 재료로서 원자층 증착된 산화 아연 주석 박막 김준식 서울대학교 대학원[2021] Google Scholar네이버 전문정보