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그래핀을 베이스로 사용한 열전자 트랜지스터의 특성
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Kang, Il-Suk
이형규
이기성
김성진
김기남
고진원
강일석
Lee, Hyung Gyoo
Lee, Gisung
Koh, Jin Won
Kim, Sung-Jin
Kim, Ki Nam
한국전기전자재료학회[2016]
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용액 공정을 이용한 IZO 트랜지스터의 전기적 성능에 대한 박막 두께의 영향
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
경동구
Kyung, Dong-Gu
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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원자층 증착 기술을 이용한 TiOx 기반 TFT의 어닐링 효과
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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용액 공정을 이용한 Indium-Zinc-Oxide 박막 기반 저항 스위칭 메모리의 전기적 특성
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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전자 수송층을 삽입한 용액 공정형 산화물 트랜지스터의 특성 평가
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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Soft-Baking 처리를 통한 용액 공정형 In-Zn-O 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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원자층 증착을 이용한 고 유전율 Al2O3 절연 박막 기반 Indium Zinc 산화물 트랜지스터의 저전압 구동
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Eom, Ju-Song
엄주송
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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Indium-Zinc 산화물 박막 트랜지스터 기반의 N-MOS 인버터
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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PMMA 보호막을 이용한 용액 공정 기반의 인듐-이티륨-산화물 트랜지스터에 관한 연구
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2017]
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Dynamic Response Behavior of Femtosecond Laser-Annealed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors
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Kim, Sung-Jin
Shan, Fei
The Korean Institute of Electrical Engineers[2017]
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펨토초 레이저 어닐링 기술을 이용한 용액 공정 기반의 비정질 인듐 징크 산화물 트랜지스터에 관한 연구
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Kim, Han-Sang
김한상
김성진
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2018]
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Effects of Pre-annealing on the Performance of Solution-processed Indium Zinc Oxide Thin-film Transistors
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Kim, Sung-Jin
Shan, Fei
The Institute of Electronics and Information Engineers[2018]
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IZO 박막 트랜지스터의 UV를 이용한 후열처리 조사 시간에 따른 전기적 특성 평가
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Kim, Han-Sang
이재윤
김한상
김성진
Lee, Jae-Yun
Kim, Sung-Jin
한국전기전자재료학회[2020]
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