Atomic-Layer-Deposited Zinc Tin Oxide Thin Films as the Channel Material for Next-Generation 3D Memory Devices = 차세대 3D 메모리 소자의 채널 재료로서 원자층 증착된 산화 아연 주석 박막

김준식 2021년

연구자정보

공동연구/유사연구

논문점유율 요약
동일주제 총논문수	주제별 연구자 총논문수	연구자점유율(주제별 연구자점유율의 평균)
817	18	39.3%

연구자 점유율
주제		주제별 논문수	주제별 연구자논문수	주제별 연구자점유율
주제분류(KDC/DDC)	기술과 연합작용	543	1	0.2%
주제어	amorhpous oxide semiconductor	1	1	100.0%
	erasing operation	1	1	100.0%
	zin tin oxide	1	1	100.0%
	이레이즈 동작	1	1	100.0%
	전하 저장 소자	1	1	100.0%
	V-NAND	2	1	50.0%
	charge trap flash	2	1	50.0%
	비정질 산화물 반도체	3	1	33.3%
	주석산화물	3	1	33.3%
	아연 산화물	4	1	25.0%
	nand 플래시 메모리	8	1	12.5%
	tin oxide	13	1	7.7%
	원자층 증착법	27	1	3.7%
	thin film transistor	37	1	2.7%
	박막 트랜지스터	37	1	2.7%
	atomic layer deposition	48	1	2.1%
	zinc oxide	85	1	1.2%
계		817	18
* 주제로 분류 되지 않은 논문건수			0