연구동향 분석

Atomic-Layer-Deposited Zinc Tin Oxide Thin Films as the Channel Material for Next-Generation 3D Memory Devices = 차세대 3D 메모리 소자의 채널 재료로서 원자층 증착된 산화 아연 주석 박막

김준식 2021년

논문상세정보
인용/피인용
' Atomic-Layer-Deposited Zinc Tin Oxide Thin Films as the Channel Material for Next-Generation 3D Memory Devices = 차세대 3D 메모리 소자의 채널 재료로서 원자층 증착된 산화 아연 주석 박막' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 기술과 연합작용
  • V-NAND
  • amorhpous oxide semiconductor
  • atomic layer deposition
  • charge trap flash
  • erasing operation
  • nand 플래시 메모리
  • thin film transistor
  • tin oxide
  • zin tin oxide
  • zinc oxide
  • 박막 트랜지스터
  • 비정질 산화물 반도체
  • 아연 산화물
  • 원자층 증착법
  • 이레이즈 동작
  • 전하 저장 소자
  • 주석산화물
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
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