연구동향 분석

전자-정공 효과(Core-Hole Effect) 적용에 따른 SiO2 고압상들의 전자구조 및 O K-edge X-선 Raman 산란 스펙트럼 계산 결과 분석

김훈 ( Hoon Khim ) 이유수 ( Yoo Soo Yi ) 이성근 ( Sung Keun Lee ) 2017년

원문 다운로드 15
복사신청 0
대출신청 0
SNS 공유 0