연구동향 분석

DIPAS(디이소프로필아미노 실란; Diisoprophylamino Silane) 소스를 이용한 Si 박막 형성 및 특성

김광호(Kwang-Ho Kim) 2014년

논문상세정보
인용/피인용
' DIPAS(디이소프로필아미노 실란; Diisoprophylamino Silane) 소스를 이용한 Si 박막 형성 및 특성' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 전산공학
  • diisoprophylaminosilane
  • dipas
  • h3sin(ch)(ch3)22
  • rpecvd
  • siliconfilms
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
551 0

0.0%

' DIPAS(디이소프로필아미노 실란; Diisoprophylamino Silane) 소스를 이용한 Si 박막 형성 및 특성' 의 참고문헌

  • 집적광학 센서 응용에 적합한 실리콘 비공진 반사형 광도파로 최적화에 관한 연구
    정홍식 한국인터넷방송통신학회 논문지 10 (5) : 153 ~ 160 [2010]
  • SiO2 Atomic Layer Deposition Using Tris(dimethylamino)silane and Hydrogen Peroxide Studied by in Situ Transmission FTIR Spectroscopy
    B. B. Burton J. Phys. Chem. C 113 (19) : 8249 ~ 8257 [2009]
  • Plasma enhanced chemical vapor deposition : Differences between direct and remote plasma excitation
    G. Lucovsky J. Vac. Sci. Technol 5 (3) : 2231 ~ 2238 [1987]
  • Performance analysis of high speed SSd for high speed I/O processing in the internet server
    H. C. Song Journal of IIBC 5 (2) : 21 ~ 30 [2005]
  • P-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로
    정훈주 한국정보기술학회논문지 11 (3) : 19 ~ 25 [2013]
  • Mechanism of atomic layer deposition of SiO2 on the silicon(100)-2×1 surface using SiCl4 and H2O as precursors
    J. K. Kang J. App. Phys 91 (5) : 3408 ~ 3414 [2002]
  • Impact of Aminosilane Precursor Structure on Silicon Oxides by Atomic Layer Deposition
    M. L. O’Neill The Electrochem. Soc. interface 20 (4) : 33 ~ 37 [2011]
  • IGBT를 이용한 대용량 플라즈마용 전원장치 개발
    이병호 한국정보기술학회논문지 11 (6) : 25 ~ 32 [2013]
  • Homoepitaxial films grown on Si(100)at 150°C by remote plasma‐enhanced chemical vapor deposition
    L. Breaux Appl. Phys. Lett 55 (18) : 1885 ~ 1887 [1989]
  • DIPAS Material Safety Data Sheet (MSDS)
  • Comparison between SiO2 films deposited by atomic layer deposition with SiH2[N(CH3)2]2 and SiH[N(CH3)2]3 precursors
    S. Kamiyama Thin Solid Films 515 (4) : 1517 ~ 1521 [2006]
  • Chemical Vapor Deposition Opens New Horizons in Ceramic Technology
    J. M. Blocher, Jr Am. Ceram. Soc. Bull 41 : 81 ~ 84 [1962]
  • CVD Handbook(Japanese)
    Eds. Society for Chemical Engineers Asakura Syoten Tokyo [1991]
  • ALD of SiO2 at Room Temperature Using TEOS and H2O with NH3 as the Catalyst
    J. D. Ferguson J. Electrochem. Soc. 151 (8) : G528 ~ [2004]
  • A production reactor for low temperature plasmaenhanced silicon nitride-deposition
    R. S. Rosler Solid State Technol 19 (6) : 45 ~ 50 [1976]
  • A Study on the Design Parameter Considerations and Electrical Characteristics of IGBT
    송인근 한국정보기술학회논문지 10 (7) : 161 ~ 169 [2012]