InGaN/GaN Micro-LED구조를 위한 그래핀 양자점 기반의 산화막 기판 특성

논문상세정보
' InGaN/GaN Micro-LED구조를 위한 그래핀 양자점 기반의 산화막 기판 특성' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 응용 물리
  • Micro-Light-emitting Diodes
  • Multi Quantum Wells
  • core-shell
  • ingan
  • nanowires
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
405 0

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