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28-nm FD SOI CMOS 공정을 이용한 140 GHz 저잡음 증폭기 설계

성기환(Ki-hwon Sung) 박재현(Jae-hyun Park) 김병성(Byung-sung Kim) 2020년

활용도
공유도
영향력

논문상세정보

- 저자 성기환(Ki-hwon Sung) 박재현(Jae-hyun Park) 김병성(Byung-sung Kim)
- 제어번호 106884200
- 학술지명 한국전자파학회논문지
- 권호사항 Vol. 31 No. 4 [ 2020 ]
- 발행처 한국전자파학회
- 발행처 URL http://www.kiees.or.kr/
- 자료유형 학술저널
- 수록면 398-401 ( 4쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2020
- 등재정보 KCI등재
- 판매처 누리미디어
- 주제어 CMOS FD SOI Process D-Band Low Noise Amplifier
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 14)
- Low Noise Amplifier 13건
- D-Band 1건

인용/피인용

28-nm FD SOI CMOS 공정을 이용한 140 GHz 저 ...

' 28-nm FD SOI CMOS 공정을 이용한 140 GHz 저잡음 증폭기 설계' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	CMOS FD SOI Process D-Band Low Noise Amplifier
17	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	CMOS FD SOI Process	1	0	0.0%
	D-Band	2	0	0.0%
	Low Noise Amplifier	14	0	0.0%
계		17	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0