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후열 처리에 따른 Ga₂O₃/4H-SiC 이종접합 다이오드 특성 분석

이영재 구상모 Lee, Young-Jae Koo, Sang-Mo 2020년

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논문상세정보

- 저자 이영재 구상모 Lee, Young-Jae Koo, Sang-Mo
- 제어번호 106827121
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 33 No. 2 [ 2020 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 155-160
- 언어 Korean
- 출판년도 2020
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 남서울대학교 성암기념중앙도서관
- 판매처
- 주제어 Diodes Heterojunction Galliumoxide Oxygen annealing Silicon carbide
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,787)

인용/피인용

후열 처리에 따른 Ga₂O₃/4H ...

' 후열 처리에 따른 Ga₂O₃/4H-SiC 이종접합 다이오드 특성 분석' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 Diodes Heterojunction galliumoxide oxygen annealing silicon carbide
4,793	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	Diodes	2	0	0.0%
	Heterojunction	43	0	0.0%
	galliumoxide	15	0	0.0%
	oxygen annealing	3	0	0.0%
	silicon carbide	81	0	0.0%
계		4,793	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0