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벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정
김정진
임종원
강동민
배성범
차호영
양전욱
이형석
Kim, Jeong Jin
Lim, Jong Won
Kang, Dong Min
Bae, Sung Bum
Cha, Ho Young
Yang, Jeon Wook
Lee, Hyeong Seok
2020년
활용도 Analysis
논문 Analysis
연구자 Analysis
활용도 Analysis
논문 Analysis
연구자 Analysis
활용도
공유도
영향력
논문상세정보
저자
김정진
임종원
강동민
배성범
차호영
양전욱
이형석
Kim, Jeong Jin
Lim, Jong Won
Kang, Dong Min
Bae, Sung Bum
Cha, Ho Young
Yang, Jeon Wook
Lee, Hyeong Seok
주제어
Fin-gate
FinFET
HEMTs
High resolution patterning
GaN
Normally-off
참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,798)
응용 물리 4,648건
gan 118건
FinFET 17건
HEMTs 8건
normally-off 6건
High resolution patterning 1건
인용/피인용
벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN ...
' 벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 요약
주제
응용 물리
Fin-gate
FinFET
HEMTs
High resolution patterning
gan
normally-off
동일주제 총논문수
논문피인용 총횟수
주제별 논문영향력의 평균
4,805
0
0.0%
자세히
주제별 논문영향력
논문영향력
주제
주제별 논문수
주제별 피인용횟수
주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)
응용 물리
4,649
0
0.0%
주제어
Fin-gate
1
0
0.0%
FinFET
18
0
0.0%
HEMTs
9
0
0.0%
High resolution patterning
2
0
0.0%
gan
119
0
0.0%
normally-off
7
0
0.0%
계
4,805
0
0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수
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