' 벌집구조의 나노채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 선정 방법
논문영향력 요약
주제
  • 응용 물리
  • Fin-gate
  • FinFET
  • HEMTs
  • High resolution patterning
  • gan
  • normally-off
동일주제 총논문수 논문피인용 총횟수 주제별 논문영향력의 평균
4,805 0

0.0%