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높은 항복전압(>1,000 V)을 가지는 Circular β-Ga₂O₃ MOSFETs의 특성

조규준 문재경 장우진 정현욱 Cho, Kyu Jun Mun, Jae-Kyong Chang, Woojin Jung, Hyun-Wook 2020년

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논문상세정보

- 저자 조규준 문재경 장우진 정현욱 Cho, Kyu Jun Mun, Jae-Kyong Chang, Woojin Jung, Hyun-Wook
- 제어번호 106824251
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 33 No. 1 [ 2020 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 78-82
- 언어 Korean
- 출판년도 2020
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 남서울대학교 성암기념중앙도서관
- 판매처
- 주제어 $Ga_2O_3$ On-off current ratio Breakdown voltage MOS-FET
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,746)

인용/피인용

높은 항복전압(>1,000 V)을 가지는 Circular β- ...

' 높은 항복전압(>1,000 V)을 가지는 Circular β-Ga₂O₃ MOSFETs의 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $Ga_2O_3$ On-off current ratio breakdown voltage mos-fet
4,751	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	$Ga_2O_3$	7	0	0.0%
	On-off current ratio	2	0	0.0%
	breakdown voltage	59	0	0.0%
	mos-fet	34	0	0.0%
계		4,751	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0