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낮은 GWP를 가진 CxF2xO 을 이용한 SiO2 식각 공정 특성에 관한 연구

탁현우 문룡 성다인 김두산 김동우 염근영 2020년

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논문상세정보

- 저자 탁현우 문룡 성다인 김두산 김동우 염근영
- 제어번호 106622256
- 학술지명 한국진공학회 학술발표회초록집
- 권호사항 Vol. 2020 No. 2 [ 2020 ]
- 발행처 한국진공학회
- 발행처 URL http://www.kvs.or.kr
- 자료유형 학술저널
- 수록면 135-135 ( 1쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2020
- KDC 420
- 판매처 누리미디어
- 주제어 /SUB＆gt 12 ＆lt 6＆lt C&lt C₃F&lt Etch Profile F&lt Global Warming Potential(GWP) O Plasma O&amp SUB＆gt Plasma etch
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 638)

인용/피인용

낮은 GWP를 가진 CxF2xO 을 이용한 SiO2 식각 공 ...

' 낮은 GWP를 가진 CxF2xO 을 이용한 SiO2 식각 공정 특성에 관한 연구' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	/SUB＆gt 12 ＆lt 6＆lt C&lt C₃F&lt Etch Profile F&lt Global Warming Potential(GWP) O Plasma O&amp SUB＆gt plasma etch
650	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	/SUB＆gt	294	0	0.0%
	12 ＆lt	11	0	0.0%
	6＆lt	16	0	0.0%
	C<	10	0	0.0%
	C₃F<	2	0	0.0%
	Etch Profile	2	0	0.0%
	F<	2	0	0.0%
	Global Warming Potential(G ...	6	0	0.0%
	O Plasma	2	0	0.0%
	O&	6	0	0.0%
	SUB＆gt	294	0	0.0%
	plasma etch	5	0	0.0%
계		650	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0