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3차원 소자 제작을 위한 ICP Type Remote PEALD를 이용한 저온(< 300℃) SiO₂ 및 SiON 박막 공정

김대현 박태주 Kim, Dae Hyun Park, Tea Joo 2019년

활용도
공유도
영향력

논문상세정보

- 저자 김대현 박태주 Kim, Dae Hyun Park, Tea Joo
- 제어번호 106600517
- 학술지명 반도체디스플레이기술학회지
- 권호사항 Vol. 18 No. 2 [ 2019 ]
- 발행처 한국반도체디스플레이기술학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 98-102
- 언어 Korean
- 출판년도 2019
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 $SiO_2$ Low Temperature Process Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition DIPAS ICP SiON
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 381)

인용/피인용

3차원 소자 제작을 위한 ICP Type Remote PEAL ...

' 3차원 소자 제작을 위한 ICP Type Remote PEALD를 이용한 저온(< 300℃) SiO₂ 및 SiON 박막 공정' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $sio_2$ Low Temperature Process Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition dipas icp sion
388	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	332	0	0.0%
주제어	$sio_2$	12	0	0.0%
	Low Temperature Process	1	0	0.0%
	Plasma-Enhanced Atomic Laye ...	3	0	0.0%
	dipas	3	0	0.0%
	icp	35	0	0.0%
	sion	2	0	0.0%
계		388	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0