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4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화
성민제
강민재
김홍기
김성준
이정윤
이원범
이남석
신훈규
Sung, Min-Je
Kang, Min-Jae
Kim, Hong-Ki
Kim, Seongjun
Lee, Jung-Yoon
Lee, Wonbeom
Lee, Nam-suk
Shin, Hoon-Kyu
2018년
활용도 Analysis
논문 Analysis
연구자 Analysis
활용도 Analysis
논문 Analysis
연구자 Analysis
활용도
공유도
영향력
논문상세정보
저자
성민제
강민재
김홍기
김성준
이정윤
이원범
이남석
신훈규
Sung, Min-Je
Kang, Min-Jae
Kim, Hong-Ki
Kim, Seongjun
Lee, Jung-Yoon
Lee, Wonbeom
Lee, Nam-suk
Shin, Hoon-Kyu
주제어
4H-SiC
Ar Reshape
Sub-trench
Trench MOSFET
GateOxide
참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,714)
응용 물리 4,648건
4h-sic 53건
gateoxide 6건
Trench MOSFET 5건
Ar Reshape 1건
Sub-trench 1건
인용/피인용
4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshap ...
' 4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 요약
주제
응용 물리
4h-sic
Ar Reshape
Sub-trench
Trench MOSFET
gateoxide
동일주제 총논문수
논문피인용 총횟수
주제별 논문영향력의 평균
4,720
0
0.0%
자세히
주제별 논문영향력
논문영향력
주제
주제별 논문수
주제별 피인용횟수
주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)
응용 물리
4,649
0
0.0%
주제어
4h-sic
54
0
0.0%
Ar Reshape
2
0
0.0%
Sub-trench
2
0
0.0%
Trench MOSFET
6
0
0.0%
gateoxide
7
0
0.0%
계
4,720
0
0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수
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