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에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al2O3 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성
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에어로졸 데포지션으로 제조된 4H-SiC 위 Al2O3 게이트 산화막의 후열처리 공정에 따른 전기적 특성' 의 주제별 논문영향력
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| 동일주제 총논문수 | 논문피인용 총횟수 | 주제별 논문영향력의 평균 |
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