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저온공정 InSnZnO 채널층을 이용한 SiO₂만으로 구성된 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성

김재민 윤건주 전성호 김세현 김상호 김영국 이준신 2019년

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영향력

논문상세정보

- 저자 김재민 윤건주 전성호 김세현 김상호 김영국 이준신
- 제어번호 106074725
- 학술지명 한국진공학회 학술발표회초록집
- 권호사항 Vol. 2019 No. 2 [ 2019 ]
- 발행처 한국진공학회
- 발행처 URL http://www.kvs.or.kr
- 자료유형 학술저널
- 수록면 280-280 ( 1쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2019
- KDC 420
- 판매처 누리미디어
- 주제어 InSnZnO NVM SiO₂ 메모리소자 산화막
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 53)

인용/피인용

저온공정 InSnZnO 채널층을 이용한 SiO₂만으로 구 ...

' 저온공정 InSnZnO 채널층을 이용한 SiO₂만으로 구성된 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	insnzno nvm sio₂ 메모리소자 산화막
58	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	insnzno	5	0	0.0%
	nvm	18	0	0.0%
	sio₂	21	0	0.0%
	메모리소자	3	0	0.0%
	산화막	11	0	0.0%
계		58	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0