논문상세정보
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- 저자 김현섭 이재길 임종태 차호영 Kim, Hyun-Seop Lee, Jae-Gil Lim, Jongtae Cha, Ho Young
- 제어번호 105903010
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 22 No. 3 [ 2018 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 706-711
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 4H-SiC effective border trap MOS post metallization annealing silicon oxynitride
