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유도성 기생성분에 의한 드레인전류 응답지연을 포함한 SOI MOSFET 고주파모델

김규철(Gue Chol Kim) 2018년

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논문상세정보

- 저자 김규철(Gue Chol Kim)
- 제어번호 105677111
- 학술지명 한국전자통신학회 논문지
- 권호사항 Vol. 13 No. 5 [ 2018 ]
- 발행처 한국전자통신학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 959-964 ( 6쪽)
- 언어 -
- 출판년도 2018
- KDC 567
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 전남대학교 여수캠퍼스 도서관
- 판매처 교보문고
- 주제어 High-frequency NQS Z 파라미터 CMOS MOS-FET Z-parameter 고주파
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 1,780)

인용/피인용

유도성 기생성분에 의한 드레인전류 응답지연을 포함 ...

' 유도성 기생성분에 의한 드레인전류 응답지연을 포함한 SOI MOSFET 고주파모델' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	전기통신 High-frequency NQS Z 파라미터 cmos mos-fet z-parameter 고주파
1,787	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	전기통신	1,499	0	0.0%
주제어	High-frequency	20	0	0.0%
	NQS	1	0	0.0%
	Z 파라미터	2	0	0.0%
	cmos	206	0	0.0%
	mos-fet	34	0	0.0%
	z-parameter	7	0	0.0%
	고주파	19	0	0.0%
계		1,788	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0