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전력 반도체 응용을 위한 HVPE법에 의한 Ga₂O₃ 에피성장에 관한 연구

강이구 Kang, Ey Goo 2018년

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영향력

논문상세정보

- 저자 강이구 Kang, Ey Goo
- 제어번호 105477810
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 22 No. 2 [ 2018 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 427-431
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 $Ga_2O_3$ Epi wafer $Ga_2O_3$ Substrate Power devices Wide Band Gap On-resistance
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,691)

인용/피인용

전력 반도체 응용을 위한 HVPE법에 의한 Ga_{2< ...}

' 전력 반도체 응용을 위한 HVPE법에 의한 Ga₂O₃ 에피성장에 관한 연구' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $Ga_2O_3$ Epi wafer $Ga_2O_3$ Substrate Power devices Wide Band Gap on-resistance
4,697	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	$Ga_2O_3$ Epi wafer	1	0	0.0%
	$Ga_2O_3$ Substrate	1	0	0.0%
	Power devices	14	0	0.0%
	Wide Band Gap	5	0	0.0%
	on-resistance	27	0	0.0%
계		4,697	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0