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Interfacial Properties of Atomic Layer Deposited Al₂O₃/AlN Bilayer on GaN

Kim, Hogyoung Kim, Dong Ha Choi, Byung Joon 2018년

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논문상세정보

- 저자 Kim, Hogyoung Kim, Dong Ha Choi, Byung Joon
- 제어번호 105387730
- 학술지명 한국재료학회지
- 권호사항 Vol. 28 No. 5 [ 2018 ]
- 발행처 Materials Research Society of Korea
- 발행처 URL http://www.mrs-k.or.kr
- 자료유형 학술저널
- 수록면 268-272
- 언어 English
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 경북대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 Al-OH bonds barrier inhomogeneity native oxides $Al_2O_3/AlN$ bilayer
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 730)

인용/피인용

Interfacial Properties of Atomic Layer Deposite ...

' Interfacial Properties of Atomic Layer Deposited Al₂O₃/AlN Bilayer on GaN' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	기술과 연합작용 Al-OH bonds barrier inhomogeneity native oxides $Al_2O_3/AlN$ bilayer
735	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	기술과 연합작용	728	0	0.0%
주제어	Al-OH bonds	2	0	0.0%
	barrier inhomogeneity	2	0	0.0%
	native oxides	2	0	0.0%
	$Al_2O_3/AlN$ bilayer	1	0	0.0%
계		735	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0