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1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V 고효율 트렌치 게이트 필드스톱 IGBT 설계에 관한 연구

강이구 Kang, Ey Goo 2018년

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논문상세정보

- 저자 강이구 Kang, Ey Goo
- 제어번호 105350124
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 31 No. 4 [ 2018 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 208-211
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 Nano gate structure On state voltage drop Power devices Breakdown voltage
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,723)

인용/피인용

1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V ...

' 1 um 미만의 나노트렌치 게이트 구조를 갖는 1,200 V 고효율 트렌치 게이트 필드스톱 IGBT 설계에 관한 연구' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 Nano gate structure On state voltage drop Power devices breakdown voltage
4,728	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	Nano gate structure	1	0	0.0%
	On state voltage drop	5	0	0.0%
	Power devices	14	0	0.0%
	breakdown voltage	59	0	0.0%
계		4,728	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0