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수 원자층 두께의 MoS₂ 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화

이형규 이기성 Lee, Hyung Gyoo Lee, Gisung 2018년

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논문상세정보

- 저자 이형규 이기성 Lee, Hyung Gyoo Lee, Gisung
- 제어번호 105350111
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 31 No. 3 [ 2018 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 135-140
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 $MoS_2$ Few atomic layer channel Gate voltage stress FET
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,692)

인용/피인용

수 원자층 두께의 MoS₂ 채널을 가진 전계 ...

' 수 원자층 두께의 MoS₂ 채널을 가진 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압 스트레스에 의한 I-V 특성 변화' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $mos_2$ Few atomic layer channel Gate voltage stress fet
4,697	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	$mos_2$	4	0	0.0%
	Few atomic layer channel	1	0	0.0%
	Gate voltage stress	1	0	0.0%
	fet	42	0	0.0%
계		4,697	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0