Defect reduction in m-plane GaN on m-sapphire via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapor phase epitaxy

논문상세정보
    • 저자 김민호 우서휘 소병찬 심광보 남옥현
    • 제어번호 105305269
    • 학술지명 Journal of Ceramic Processing Research
    • 권호사항 Vol. 17 No. 10 [ 2016 ]
    • 발행처 한양대학교 세라믹연구소
    • 자료유형 학술저널
    • 수록면 1015-1018
    • 언어 English
    • 출판년도 2016
    • 등재정보 KCI등재
    • 판매처
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