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Deep Submicron SOI n-채널 MOSFET에서 열전자 효과들의 온도 의존성

박근형(Keun-Hyung Park) 차호일(Ho-Il Cha) 2018년

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논문상세정보

- 저자 박근형(Keun-Hyung Park) 차호일(Ho-Il Cha)
- 제어번호 105303693
- 학술지명 한국정보전자통신기술학회논문지
- 권호사항 Vol. 11 No. 2 [ 2018 ]
- 발행처 한국정보전자통신기술학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 189-194 ( 6쪽)
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 판매처 누리미디어
- 주제어 Hot carrier effect LDD MOS-FET Scattering SOI
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 89)

인용/피인용

Deep Submicron SOI n-채널 MOSFET에서 열전자 ...

' Deep Submicron SOI n-채널 MOSFET에서 열전자 효과들의 온도 의존성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	Hot carrier effect LDD mos-fet scattering soi
94	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	Hot carrier effect	5	0	0.0%
	LDD	5	0	0.0%
	mos-fet	34	0	0.0%
	scattering	37	0	0.0%
	soi	13	0	0.0%
계		94	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0