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Ga₂O₃와 4H-SiC Vertical DMOSFET 성능 비교

정의석 김영재 구상모 Chung, Eui Suk Kim, Young Jae Koo, Sang-Mo 2018년

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논문상세정보

- 저자 정의석 김영재 구상모 Chung, Eui Suk Kim, Young Jae Koo, Sang-Mo
- 제어번호 105300490
- 학술지명 전기전자학회논문지
- 권호사항 Vol. 22 No. 1 [ 2018 ]
- 발행처 한국전기전자학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 180-184
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 $Ga_2O_3$ 4H-SiC Blocking voltage Simulation Vertical DMOSFET On-resistance
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 5,783)

인용/피인용

Ga₂O₃와 4H-SiC Vertical ...

' Ga₂O₃와 4H-SiC Vertical DMOSFET 성능 비교' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $Ga_2O_3$ 4h-sic Blocking voltage Simulation Vertical DMOSFET on-resistance
5,790	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	$Ga_2O_3$	7	0	0.0%
	4h-sic	54	0	0.0%
	Blocking voltage	2	0	0.0%
	Simulation	1,049	0	0.0%
	Vertical DMOSFET	2	0	0.0%
	on-resistance	27	0	0.0%
계		5,790	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0