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질산산화법을 이용한 SiO₂/Si 구조의 계면결함 제거

최재영 김도연 김우병 Choi, Jaeyoung Kim, Doyeon Kim, Woo-Byoung 2018년

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논문상세정보

- 저자 최재영 김도연 김우병 Choi, Jaeyoung Kim, Doyeon Kim, Woo-Byoung
- 제어번호 105254876
- 학술지명 한국재료학회지
- 권호사항 Vol. 28 No. 2 [ 2018 ]
- 발행처 한국재료학회
- 발행처 URL http://www.mrs-k.or.kr
- 자료유형 학술저널
- 수록면 118-123
- 언어 Korean
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 경북대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 interface properties nitric acid oxidation $SiO_2/Si$ interface densification interface state density
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 753)

인용/피인용

질산산화법을 이용한 SiO₂/Si 구조의 계 ...

' 질산산화법을 이용한 SiO₂/Si 구조의 계면결함 제거' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	기술과 연합작용 interface properties nitric acid oxidation $SiO_2/Si$ interface densification interface state density
759	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	기술과 연합작용	728	0	0.0%
주제어	interface properties	2	0	0.0%
	nitric acid oxidation	2	0	0.0%
	$SiO_2/Si$ interface	1	0	0.0%
	densification	23	0	0.0%
	interface state density	3	0	0.0%
계		759	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0