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Electrical Characteristics of SiC Lateral P-i-N Diodes Fabricated on SiC Semi-Insulating Substrate

Kim, Hyoung Woo Seok, Ogyun Moon, Jeong Hyun Bahng, Wook Jo, Jungyol 2018년

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논문상세정보

- 저자 Kim, Hyoung Woo Seok, Ogyun Moon, Jeong Hyun Bahng, Wook Jo, Jungyol
- 제어번호 105231996
- 학술지명 Journal of Electrical Engineering & Technology
- 권호사항 Vol. 13 No. 1 [ 2018 ]
- 발행처 The Korean Institute of Electrical Engineers
- 자료유형 학술저널
- 수록면 387-392
- 언어 English
- 출판년도 2018
- 등재정보 KCI등재
- 판매처
- 주제어 High purity semi-insulating Lateral power device Semi-insulating Vnadium doped semi-insulating Silicon carbide
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,734)

인용/피인용

Electrical Characteristics of SiC Lateral P-i- ...

' Electrical Characteristics of SiC Lateral P-i-N Diodes Fabricated on SiC Semi-Insulating Substrate' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 High purity semi-insulating Lateral power device Semi-insulating Vnadium doped semi-insulating silicon carbide
4,740	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	High purity semi-insulating	2	0	0.0%
	Lateral power device	2	0	0.0%
	Semi-insulating	4	0	0.0%
	Vnadium doped semi-insulating	2	0	0.0%
	silicon carbide	81	0	0.0%
계		4,740	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0