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질산산화법을 이용한 SiO2/Si 구조의 계면결함 제거

최재영 김도연 김우병 2018년

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논문상세정보

- 저자 최재영 김도연 김우병
- 주제어 interface properties interface state density. nitric acid oxidation SiO2/Si interface densification
- 참고문헌( 0)
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인용/피인용

질산산화법을 이용한 SiO2/Si 구조의 계면결함 제거

' 질산산화법을 이용한 SiO2/Si 구조의 계면결함 제거' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	interface properties interface state density. nitric acid oxidation SiO2/Si interface densification
29	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제어	interface properties	2	0	0.0%
	interface state density.	1	0	0.0%
	nitric acid oxidation	2	0	0.0%
	SiO2/Si interface	1	0	0.0%
	densification	23	0	0.0%
계		29	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0