A Study on N2O Direct Oxidation Process with Re-oxidation Annealing for the Improvement of Interface Properties in 4H-SiC MOS Capacitor
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저자
조두형
박건식
유승욱
김상기
이진환
김광수
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제어번호
105079580
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학술지명
THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
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권호사항
Vol.
71
No.
3
[
2017
]
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발행처
한국물리학회
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자료유형
학술저널
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수록면
150-155
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언어
English
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출판년도
2017
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등재정보
KCI등재
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소장기관
경북대학교 중앙도서관
성균관대학교 삼성학술정보관
성균관대학교 삼성학술정보관
영남대학교 중앙도서관
영남대학교 중앙도서관
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판매처