Unipolar resistive switching characteristics of W/Si3N4/Si memory devices with doped silicon bottom electrodes

논문상세정보
    • 저자 김성준 박병국
    • 제어번호 104320757
    • 학술지명 Current Applied Physics
    • 권호사항 Vol. 17 No. 2 [ 2017 ]
    • 발행처 한국물리학회
    • 자료유형 학술저널
    • 수록면 146-151
    • 언어 English
    • 출판년도 2017
    • 등재정보 KCI등재
    • 판매처
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