Dynamic Response Behavior of Femtosecond Laser-Annealed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors
-
-
저자
Shan, Fei
Kim, Sung-Jin
-
제어번호
103783468
-
학술지명
Journal of Electrical Engineering & Technology
-
권호사항
Vol.
12
No.
6
[
2017
]
-
발행처
The Korean Institute of Electrical Engineers
-
자료유형
학술저널
-
수록면
2353-2358
-
언어
English
-
출판년도
2017
-
등재정보
KCI등재
-
판매처
'
Dynamic Response Behavior of Femtosecond Laser-Annealed Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 요약
| 주제 |
|
| 동일주제 총논문수 |
논문피인용 총횟수 |
주제별 논문영향력의 평균 |
|
4,649
|
0
|
|
주제별 논문영향력
논문영향력
| 주제 |
주제별 논문수 |
주제별 피인용횟수 |
주제별 논문영향력 |
| 주제분류(KDC/DDC) |
응용 물리
|
4,649
|
0
|
|
| 계 |
|
4,649
|
0
|
|
| * 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수 |
0
|
|
