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Improvement of Device Performances, Including Electrostatic Discharge Characteristics, of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes by Using a Si-Doped Graded Superlattice

이관재 이철로 안행근 김진수 정태훈 김윤석 류미이 고영호 2017년

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논문상세정보

- 저자 이관재 이철로 안행근 김진수 정태훈 김윤석 류미이 고영호
- 제어번호 103674068
- 학술지명 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY
- 권호사항 Vol. 70 No. 11 [ 2017 ]
- 발행처 한국물리학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 1001-1006
- 언어 English
- 출판년도 2017
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 경북대학교 중앙도서관 성균관대학교 삼성학술정보관 성균관대학교 삼성학술정보관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
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인용/피인용

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