원자층 증착을 이용한 고 유전율 Al2O3 절연 박막 기반 Indium Zinc 산화물 트랜지스터의 저전압 구동
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저자
엄주송
김성진
Eom, Ju-Song
Kim, Sung-Jin
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제어번호
103606756
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학술지명
전기전자재료학회논문지
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권호사항
Vol.
30
No.
7
[
2017
]
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발행처
한국전기전자재료학회
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자료유형
학술저널
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수록면
432-436
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언어
Korean
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출판년도
2017
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등재정보
KCI등재
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소장기관
고려대학교 과학도서관
영남대학교 중앙도서관
영남대학교 중앙도서관
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판매처
'
원자층 증착을 이용한 고 유전율 Al2O3 절연 박막 기반 Indium Zinc 산화물 트랜지스터의 저전압 구동' 의 주제별 논문영향력
논문영향력 요약
| 주제 |
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논문피인용 총횟수 |
주제별 논문영향력의 평균 |
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주제별 논문영향력
논문영향력
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주제별 논문수 |
주제별 피인용횟수 |
주제별 논문영향력 |
| 주제분류(KDC/DDC) |
응용 물리
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4,649
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| 계 |
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| * 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수 |
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