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용액 공정을 이용한 Indium-Zinc-Oxide 박막 기반 저항 스위칭 메모리의 전기적 특성

김한상 김성진 Kim, Han-Sang Kim, Sung-Jin 2017년

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논문상세정보

- 저자 김한상 김성진 Kim, Han-Sang Kim, Sung-Jin
- 제어번호 103366898
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 30 No. 8 [ 2017 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 484-490
- 언어 Korean
- 출판년도 2017
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 Electrical Electrical properties IZO resistive random access memory Solgel Thin films
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,771)

인용/피인용

용액 공정을 이용한 Indium-Zinc-Oxide 박막 기반 저 ...

' 용액 공정을 이용한 Indium-Zinc-Oxide 박막 기반 저항 스위칭 메모리의 전기적 특성' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 Electrical Electrical properties IZO resistive random access memory solgel thin films
4,777	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	Electrical	4	0	0.0%
	Electrical properties	25	0	0.0%
	IZO resistive random access ...	1	0	0.0%
	solgel	56	0	0.0%
	thin films	42	0	0.0%
계		4,777	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0