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원자층 증착 기술을 이용한 TiO_x 기반 TFT의 어닐링 효과

김한상 김성진 Kim, Han-Sang Kim, Sung-Jin 2017년

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논문상세정보

- 저자 김한상 김성진 Kim, Han-Sang Kim, Sung-Jin
- 제어번호 103366896
- 학술지명 전기전자재료학회논문지
- 권호사항 Vol. 30 No. 8 [ 2017 ]
- 발행처 한국전기전자재료학회
- 자료유형 학술저널
- 수록면 474-478
- 언어 Korean
- 출판년도 2017
- 등재정보 KCI등재
- 소장기관 고려대학교 과학도서관 영남대학교 중앙도서관 영남대학교 중앙도서관
- 판매처
- 주제어 $TiO_x$ Annealing Atomic layer deposition Thin-film transistor
- 참고문헌( 0)
유사주제 논문( 4,803)

인용/피인용

원자층 증착 기술을 이용한 TiO_x 기반 T ...

' 원자층 증착 기술을 이용한 TiO_x 기반 TFT의 어닐링 효과' 의 주제별 논문영향력

논문영향력 요약
동일주제 총논문수	논문피인용 총횟수	주제별 논문영향력의 평균
주제	응용 물리 $TiO_x$ Annealing Atomic layer deposition thin-film transistor
4,808	0	0.0%

논문영향력
주제		주제별 논문수	주제별 피인용횟수	주제별 논문영향력
주제분류(KDC/DDC)	응용 물리	4,649	0	0.0%
주제어	$TiO_x$	1	0	0.0%
	Annealing	54	0	0.0%
	Atomic layer deposition	68	0	0.0%
	thin-film transistor	36	0	0.0%
계		4,808	0	0.0%
* 다른 주제어 보유 논문에서 피인용된 횟수			0